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| タイトル： | 再公表特許(A1)_渦電流探傷装置および渦電流探傷方法 |
| 出願番号： | 2012074563 |
| 年次： | 2015 |
| IPC分類： | G01N 27/90 |
特許情報キャッシュ
小林 徳康 上野 聡一 野村 航大 落合 誠 北島 裕子 丸山 茂樹 市川 博也 JP WO2013047521 20130404 JP2012074563 20120925 渦電流探傷装置および渦電流探傷方法 株式会社東芝 000003078 特許業務法人東京国際特許事務所 110001380 小林 徳康 上野 聡一 野村 航大 落合 誠 北島 裕子 丸山 茂樹 市川 博也 JP 2011209572 20110926 G01N 27/90 20060101AFI20150227BHJP JPG01N27/90 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,KM,KN,KP,KR,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VC 再公表特許(A1) 20150326 2013536301 16 2G053 2G053AA11 2G053AB21 2G053BA02 2G053BC02 2G053BC14 2G053CA03 2G053CB10 2G053DA01 2G053DA08 本発明は、検査対象に存在するき裂等の欠陥を探知する渦電流探傷技術に関する。 検査対象である金属表面の近傍に存在するき裂を検出するために渦電流探傷装置が用いられている。この装置は、金属表面に設置されたコイル部により交流磁場を発生させ、この交流磁場により金属表面近傍に渦電流を誘起する。金属表面の近傍にき裂（欠陥）が存在すると、誘起された渦電流の流れが変化し、渦電流により誘導された磁場の強度分布が変化する。 この誘導磁場の強度分布の変化を、設置したコイル部の出力波形の変化として検出することにより、き裂の有無を探知することができる。 この装置においては、曲面を有する検査対象に対して探傷を実施する場合等、その表面とコイル部との距離（リフトオフ）が長くなると、き裂の検出感度が低下するとともにノイズが増大し、出力波形のＳ／Ｎ比が低下する課題がある。 このような課題を解決する従来技術として、コイル部にフェライトコアを適用することにより、リフトオフに伴うＳ／Ｎ比の低下を抑制する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。特開２０１１−１１７８７２号公報 前記した従来技術のように、コイル部の構造や材質を工夫してリフトオフに伴うＳ／Ｎ比低下を抑制する方法は、検査対象の曲率半径がさらに小さな曲面や円管を検査対象とする場合に、限界があった。この場合、さらに大きなリフトオフが見込まれるため、前記したコイル部の構造や材質を工夫する方法と併せて実施することができ、別原理で動作するＳ／Ｎ比の低下抑制方法の創出が求められている。 本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、検査対象の欠陥を検出するコイル部の出力波形のＳ／Ｎ比を向上させる渦電流探傷技術を提供することを目的とする。 渦電流探傷装置において、コイル部に交流磁場を発生させて検査対象に渦電流を誘起する電源部と、前記渦電流の誘導磁場が付与された前記コイル部の出力波形を検出する検出部と、前記コイル部と共に共振回路を形成するキャパシタと、を備えることを特徴とする。 本発明により、検査対象のき裂（欠陥）を検出するコイル部の出力波形のＳ／Ｎ比を向上させる渦電流探傷技術が提供される。本発明に係る渦電流探傷装置の第１実施形態を示す回路図。（Ａ）は本発明に係る渦電流探傷装置の第２実施形態を示す回路図、（Ｂ）は電源部の電源周波数と回路に流れる励磁電流との関係を示すグラフ。（Ａ）は本発明に係る渦電流探傷装置の第３実施形態を示す回路図、（Ｂ）はキャパシタの変形例を示す回路図。（Ａ）は本発明に係る渦電流探傷装置の第４実施形態において切替スイッチが第１設定状態を示す回路図、（Ｂ）は切替スイッチが第２設定状態を示す回路図。第４実施形態の渦電流探傷装置において電源部の動作により回路に流れる電流の波形を示すグラフ。本発明に係る渦電流探傷装置の第５実施形態を示す回路図。本発明に係る渦電流探傷装置の第６実施形態を示す回路図。（Ａ）は共振回路を用いない場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフ、（Ｂ）は共振回路の共振周波数を固定した場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフ、（Ｃ）は共振回路の共振周波数をリフトオフに対応して変化させた場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフ。各実施形態に係る渦電流探傷装置を、非磁性体及び磁性体で構成される検査対象に適用した場合を示す図。各実施形態に係る渦電流探傷装置を、非磁性体及び磁性体が重ねて構成される検査対象に適用した場合を示す図。（第１実施形態） 以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。 図１に示すように、第１実施形態に係る渦電流探傷装置１０は、コイル部２０に交流磁場を発生させて検査対象１１に渦電流を誘起する電源部１３と、前記渦電流の誘導磁場が付与されたコイル部２０の出力波形を検出する検出部１４と、コイル部２０と共に共振回路を形成するキャパシタ１２と、を備えている。 回路は、周波数ｆの交流電圧を付与する電源部１３と、静電容量Ｃを有するキャパシタ１２と、コイル部２０とから形成されている。コイル部２０は、内部抵抗Ｒ、コイルの固有インダクタンスＬ1、リフトオフｘに依存する変動インダクタンスＬ2(ｘ)により特徴付けられる。 電源部１３により、周波数ｆの交流電圧が回路に付与されると、コイル部２０に同じ周波数ｆの励磁電流が供給される。そして、電源部１３の周波数ｆ（＝ｆｒ）が次式（１）の関係を満たす条件において、共振状態となり回路に流れる励磁電流が極大値をとる（図２（Ｂ）参照）。 ２π・ｆｒ＝（（Ｌ1＋Ｌ2(ｘ)）Ｃ）-1/2 （１） 励磁電流がコイル部２０に供給されると、その内部および周辺に交流磁場が発生する。この交流磁場により検査対象１１の表面近傍に渦電流が誘起され、この状態でコイル部２０を検査対象１１の表面上に走査させる。すると、き裂等の欠陥が存在するポイントにおいて誘起された渦電流の流れが変化し、この渦電流により誘導される磁場の強度分布が変化する。 この磁場強度分布変化をコイル部２０で受信し、検出部１４において出力波形の変化を検出することにより、き裂の有無を検知する。 電源部１３、キャパシタ１２及びコイル部２０の設定が前記式（１）で示される共振条件を満たしている場合において、コイル部２０に供給される励磁電流が最大となる。そして、この励磁電流により発生する交流磁場、この交流磁場により誘起される渦電流、及びこの渦電流による誘導磁場の強度も最大となる。そして、この渦電流による誘導磁場がコイル部２０に付与されると、回路の共振特性に基づいて電源周波数ｆに対応する周波数成分のみが選択的に検出される。これにより、検出部１４の出力波形のＳ／Ｎ比が向上し、き裂等の欠陥検出感度が向上する。 したがって、コイル部２０と検査対象１１との間に、ある程度大きなリフトオフｘが存在しても、共振条件（式（１））が満たされていれば、欠陥検出感度の低下が抑制される。 実施形態に係る渦電流探傷装置１０が適用される検査対象１１は、リフトオフｘが大きくなることが避けられない曲率半径の小さな配管や曲面が好適であるが、平面であっても問題なく適用される。 また、コイル部２０を検査対象１１の表面に走査させる走査手段（図示略）は、種々挙げられるが、車輪付の台車、ワイヤによる牽引、圧力ガスによる押出等で実現することができる。 また、各実施形態において、回路は、ＬＣ直列回路で構成されているが、回路を共振状態にするものであればＬＣ並列回路で構成してもよい。（第２実施形態） 図２（Ａ）に示すように、第２実施形態の渦電流探傷装置１０は、電源部１３の動作により回路（コイル部２０）に流れる励磁電流をモニタする励磁電流モニタ１５と、回路が共振状態となるように電源部１３の電源周波数ｆを調整する周波数調整部３０ａ（調整部３０）を備えている。なお、図２（Ａ）において図１と同一又は相当する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。 図２（Ｂ）は、電源部１３の電源周波数ｆと回路に流れる励磁電流との関係を示すグラフである。 このグラフの実線で示すように、リフトオフＸ1が一定である前提では、前記式（１）を満たす共振周波数fr(ｘ1)の交流電圧が電源部１３により付与されている限り、コイル部２０に供給される励磁電流は最大値をとる。そして、検査対象１１に誘起される渦電流も最大となり、検出部１４の出力波形も最大強度となり、結果的に検査対象１１の欠陥検出感度が最大となる。 しかし、検査対象１１の表面と走査するコイル部２０との間隔が変動し、リフトオフがｘ2に変化した場合は、変動インダクタンスＬ2が変化して破線で示されるように励磁電流の分布がシフトしてしまう。 このように、破線で示される場合、電源部１３の交流電圧が共振周波数fr(ｘ1)のままでは、共振状態から外れるために、コイル部２０に供給される励磁電流は低下して、検査対象１１の欠陥検出感度も低下してしまう。 このために、電源部１３の交流電圧の共振周波数をfr(ｘ2)に変更して回路の共振状態を維持し、検査対象１１の欠陥検出感度を最大に維持する。（第３実施形態） 図３（Ａ）に示すように、第３実施形態の渦電流探傷装置１０は、回路が共振状態となるようにキャパシタ１２の静電容量Ｃを調整する静電容量調整部３０ｂ（調整部３０）を備えている。なお、図３（Ａ）において図１と同一又は相当する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。 第３実施形態では、リフトオフｘが変化した場合は、キャパシタ１２の静電容量Ｃを調整することにより数式（１）を満足させる。これにより回路の共振状態を維持し、検査対象１１の欠陥検出感度を最大に維持する。 図３（Ｂ）は、キャパシタ１２の変形例を示す回路図である。 図３（Ａ）に示されるキャパシタ１２は、静電容量Ｃを連続的に調整する（例えば、モータやギア等を用いてキャパシタ１２を構成する電極板の距離を可変とすることで調整する）ものであるが、図３（Ｂ）に示されるキャパシタ１２は、スイッチ３２により複数（図示は３つ）のコンデンサ３３（３３ａ，３３ｂ，３３ｃ）を選択的に切り替えて、静電容量Ｃをステップ状に調整する。 なお、調整部３０（３０ａ，３０ｂ）は、励磁電流モニタ１５に基づいて電源周波数ｆや静電容量Ｃを調整する場合以外に、検出部１４の出力に基づく調整をすることもできる。（第４実施形態） 図４に示すように、第４実施形態の渦電流探傷装置１０において、電源部４０は、直流電源４１、充電コイル４２及び切替スイッチ４３を有し、この切替スイッチ４３が、第１設定状態（図４（Ａ））になると直流電源４１、充電コイル４２及びキャパシタ１２で閉回路を形成し、第２設定状態（図４（Ｂ））になるとキャパシタ１２及びコイル部２０で閉回路を形成する。なお、図４において図１と同一又は相当する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。 図５は、第４実施形態の渦電流探傷装置１０（図４）において電源部４０の作用により回路に流れる電流の波形を示すグラフである。 スイッチ設定部４７は、図５に示される充電期間において第１設定状態（図４（Ａ））となり、放電期間において第２設定状態（図４（Ｂ））となる。 図４（Ａ）に示される第１設定状態においては、ダイオード４５，４６の機能により、直流電源４１、充電コイル４２、キャパシタ１２及び抵抗４４からなる回路が形成される。そして、この回路の時定数に対応した応答速度で直流電源４１からキャパシタ１２に電荷が充電される。 そして、この充電が完了した段階でスイッチ設定部４７が切り替わると、図４（Ｂ）に示される第２設定状態になり、同じくダイオード４５，４６の機能により、キャパシタ１２及びコイル部２０からなる回路が形成される。そして、この回路の時定数に対応した応答速度で、キャパシタ１２に充電されている電荷が、励磁電流としてコイル部２０に放電される。 このようにキャパシタ１２に充電された電荷がコイル部２０に放電される場合、リフトオフｘが変化しても常に回路の共振条件は満足されている。 このために、第４実施形態においては、電源部４０の周波数ｆやキャパシタ１２の静電容量Ｃの制御が不要となり、装置構成を簡素化できる。（第５実施形態） 図６に示すように、第５実施形態に係る渦電流探傷装置１０は、電源部１３の電源周波数ｆ又はキャパシタ１２の静電容量Ｃが調整されたことに伴って検出部１４の感度を補正する感度補正部１７と、電源部１３及び検出部１４における各々の出力波形の位相差を検出する位相差検出部１８と、を備えている。なお、図６において図１と同一又は相当する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。 調整部３０により、電源部１３の周波数ｆを変化させると、コイル部２０による欠陥検出感度が変化する。そこで、予め電源部１３の周波数ｆとコイル部２０による欠陥検出感度との関係をデータベース化し、電源周波数ｆに対する検出部１４の感度補正係数を決定しておく。そして感度補正部１７は、調整部３０から取得した電源周波数ｆの設定情報に対応する感度補正係数を検出部１４にフィードバックすることで、欠陥検出感度が常に一定状態に維持される。 また、電源周波数ｆが変化すると、検出部１４で検出されるコイル部２０の出力波形の位相角が変化する。この検出される位相角は、欠陥に起因する欠陥情報とリフトオフに起因するノイズ情報とを含み、各々の情報は、電源周波数ｆの変化に対して異なる変化をする。 位相差検出部１８において、電源周波数ｆの変化と位相角情報の変化とを比較することにより、検出部１４で得られた情報が欠陥に起因するものか、あるいはノイズに起因するものかを識別することが可能となる。（第６実施形態） 図７に示すように、第６実施形態に係る渦電流探傷装置１０において、コイル部２０は、検査対象１１に渦電流を誘起させる交流磁場を発生する第１コイル部２０ａと、この渦電流の誘導磁場を検出する第２コイル部２０ｂと、がそれぞれ別個に構成されている。なお、図７において図１と同一又は相当する部分は、同一符号で示し、重複する説明を省略する。 ここで、第１コイル部２０ａ及び第２コイル部２０ｂは、互いの位置関係が固定されており、両者が一体となって検査対象１１の表面に走査される。このような構成はリモートフィールド渦電流探傷装置などが相当する。 第１コイル部２０ａが含まれる第１共振回路２１には、電源部１３及び第１キャパシタ１２ａが設けられている。第２コイル部２０ｂが含まれる第２共振回路２２には、検出部１４、第２キャパシタ１２ｂが設けられている。 第６実施形態では、前記式（１）で示される共振周波数ｆｒが電源周波数ｆに一致するように、第１共振回路２１における第１キャパシタ１２ａの静電容量Ｃ及び第１コイル部２０ａのインダクタンスＬ1＋Ｌ2(ｘ)、並びに第２共振回路２２における第２キャパシタ１２ｂの静電容量Ｃ及び第２コイル部２０ｂのインダクタンスＬ1＋Ｌ2(ｘ)が設定される。換言すると、第１共振回路２１と第２共振回路２２の共振周波数が同一となるように設定される。 これにより、第１共振回路２１において前記式（１）に示す共振条件が満たされ、第１コイル部２０ａに供給される励磁電流が最大となる。そして、この励磁電流により誘起される渦電流、及びこの渦電流による誘導磁場の強度も大きくなる。 そして、この渦電流による誘導磁場が第２コイル部２０ｂに付与されると、第２共振回路２２の共振特性に基づいて電源周波数ｆに対応する周波数成分のみが選択的に検出される。これにより、検出部１４の出力波形におけるＳ／Ｎ比が向上し、き裂等の欠陥検出感度が向上する。 図８を参照して、各実施形態においてＳ／Ｎ比が向上し、き裂等の欠陥検出感度が向上する原理について説明する。 図８（Ａ）は、共振回路を用いない場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフである。 一般に、渦電流探傷装置１０は、リフトオフｘ＝０のポイントで、検出感度Ｓが最大となるようにチューニングされている。そして、図８（Ａ）に概念的に示されるように、リフトオフｘの増大に従って、検出感度Ｓは低下して、ノイズＮが増加する。 図８（Ｂ）は、共振周波数を固定した共振回路を用いた場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフである。 この場合、リフトオフｘの増大に従って、検出感度Ｓは低下しノイズＮが増加する傾向は、共振回路を用いない場合（図８（Ａ））と同じである。しかし、共振回路を用いることにより、初期感度（リフトオフｘ＝０のポイントにおける感度）が高いぶん、Ｓ／Ｎ比の低下が抑制される。 図８（Ｃ）は、リフトオフに対応して共振周波数が変化する共振回路を用いた場合において、リフトオフの増加に対するコイル部の検出感度の変化を示すグラフである。 この場合、初期感度の向上に加えてリフトオフｘの増大によるノイズＮの増加が抑制されるため、リフトオフが大きい場合でも良好なＳ／Ｎ比が得られる。 図９は、各実施形態に係る渦電流探傷装置１０を、非磁性体１１a及び磁性体１１ｂで構成される検査対象１１に適用した場合を示す図である。 共振回路は、非磁性体１１ａの探傷中は共振状態になるように，磁性体１１ｂの探傷中は共振回路が共振状態から外れるように、設定されている。 なお、検査対象１１が、非磁性体１１aであるか磁性体１１ｂであるかによってコイルのインダクタンスは、大きく異なるものである。このために、非磁性体１１aで、共振回路となるように電源周波数ｆ及び静電容量Ｃが調整されていれば、磁性体１１ｂに切り替わったところで自動的に共振状態から外れる。 一般に、磁性体１１ｂの表面を探傷するときは、その高い透磁率の影響により、コイル部２０の感度が高くなる。しかし、この高い透磁率は、磁性体１１ｂの内部でばらつきを持つため、探傷の際に大きなノイズの原因となる。 このために、非磁性体１１ａの表面を探傷するときは、回路の共振条件を満足させて欠陥検出感度を向上させる。そして、磁性体１１ｂの表面を探傷するときは共振条件を満足させないようにしてノイズ低減させて欠陥検出感度を向上させる。（第７実施形態） 図１０は、各実施形態に係る渦電流探傷装置１０を、非磁性体１１a及び磁性体１１ｂが構成される検査対象１１について、非磁性体１１a及び磁性体１１ｂの積層方向からの探傷に適用した場合を示す図である。 図１０のような検査対象について各実施形態に係る渦電流探傷装置１０を適用する場合に、仮に非磁性体１１ａを検査対象として探傷を行う場合、非磁性体１１ａに対して共振回路が共振するように設定する。すると、磁性体１１ｂに対しては共振状態とならないため、非磁性体１１ａに対してのみ感度が向上することとなり、磁性体１１ｂが存在することによるノイズが相対的に抑制される。 なお、非磁性体１１ａが渦電流探傷装置１０に対向する配置として説明したが、非磁性体１１ａと磁性体１１ｂの位置関係は逆でもよい。このような検査対象の例としては、例えば基材と異なる材料で溶接あるいはコーティングされた構造体や、配管と配管を支持する配管サポートが重畳する位置等が挙げられる。 なお、第６および第７実施形態では、検査対象１１が非磁性体１１ａと磁性体１１ｂから構成されるものとして説明したが、非磁性体と磁性体でなくとも、透磁率が異なる部材で構成される検査対象について、どちらか一方の部材について共振条件を満足するように設定すれば同様の効果が得られる。 特に、透磁率が低い部材について共振条件を満足するように設定すれば大きな効果が得られる。透磁率が高い部材について共振条件を満足するように設定すると透磁率が高い部材に対する感度が高くなり、例えば、配管（透磁率が低い）の内面から外面に存在する透磁率が高い部材の検知が可能となる。 以上述べた少なくともひとつの実施形態の渦電流探傷装置によれば、コイル部と共に共振回路を形成するキャパシタを備えることにより、リフトオフ増大に対する欠陥検出感度の低下を抑制することが可能となる。また、コイル部（センサヘッド）を大型化させることなく欠陥検出感度を向上させることが可能になる。 本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 例えば、第２実施形態で説明したキャパシタの静電容量を連続的に調整する構成と第３実施形態で説明したキャパシタの静電容量をステップ状に調整する構成を併用することができる。 １０…渦電流探傷装置、１１…検査対象、１１ａ…非磁性体、１１ｂ…磁性体、１２…キャパシタ、１２ａ…第１キャパシタ、１２ｂ…第２キャパシタ、１３，４０…電源部、１４…検出部、１５…励磁電流モニタ、１７…感度補正部、１８…位相差検出部、２０…コイル部、２０ａ…第１コイル部、２０ｂ…第２コイル部、２１…第１共振回路、２２…第２共振回路、３０ａ（３０）…周波数調整部（調整部）、３０ｂ（３０）…静電容量調整部（調整部）、３２…スイッチ、３３…コンデンサ、４１…直流電源、４２…充電コイル、４３…切替スイッチ、４４…抵抗、４５，４６…ダイオード、４７…スイッチ設定部、Ｃ…静電容量、ｆ…電源周波数、Ｌ1…コイルの固有インダクタンス、Ｌ2(ｘ)…リフトオフに依存する変動インダクタンス、ｘ…リフトオフ、Ｒ…内部抵抗。 第１コイル部に交流磁場を発生させて検査対象に渦電流を誘起する電源部と、 前記渦電流の誘導磁場を検出する第２コイル部と、 前記第２コイル部の出力波形を検出する検出部と、 前記第１コイル部と共に第１共振回路を形成する第１キャパシタと、 前記第２コイル部と共に第２共振回路を形成する第２キャパシタと、 前記第１共振回路と第２共振回路とが同一周波数で共振状態となるように前記電源部の電源周波数、前記第１キャパシタの静電容量及び前記第２キャパシタの静電容量のうち少なくとも一つを調整する調整部と、を備えることを特徴とする渦電流探傷装置。 請求項１に記載の渦電流探傷装置において、 前記電源部は、直流電源、充電コイル及び切替スイッチを有し、 前記切替スイッチが、第１設定状態になると前記直流電源、前記充電コイル及び前記第１キャパシタで閉回路を形成し、第２設定状態になると前記第１キャパシタ及び前記第１コイル部で閉回路を形成することを特徴とする渦電流探傷装置。 請求項１又は請求項２に記載の渦電流探傷装置において、 前記電源周波数、前記第１キャパシタの静電容量及び前記第２キャパシタの静電容量のうち少なくとも１つが調整されたことに伴って前記検出部の感度を補正する感度補正部を備えることを特徴とする渦電流探傷装置。 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の渦電流探傷装置において、 前記電源部及び前記検出部における各々の出力波形の位相差を検出する位相差検出部を備えることを特徴とする渦電流探傷装置。 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の渦電流探傷装置を用いた渦電流探傷方法であって、前記検査対象は、第１部材と、前記第１部材と透磁率が異なる第２部材から構成され、 前記第１部材の探傷中は前記第１共振回路及び前記第２共振回路が共振状態になるように、前記第２部材の探傷中は前記第１共振回路及び前記第２共振回路が共振状態から外れるように前記共振回路を設定することを特徴とする渦電流探傷方法。 請求項５に記載の渦電流探傷方法であって、前記第１部材が非磁性体、前記第２部材が磁性体であることを特徴とする渦電流探傷方法。 検査対象のき裂（欠陥）を検出したコイル部の出力波形におけるＳ／Ｎ比を向上させる渦電流探傷技術を提供する。 第１コイル部２０ａに交流磁場を発生させて検査対象１１に渦電流を誘起する電源部１３と、前記渦電流の誘導磁場を検出する第２コイル部２０ｂと、この第２コイル部２０ｂの出力波形を検出する検出部１４と、第１コイル部２０ａと共に第１共振回路２１を形成する第１キャパシタ１２ａと、第２コイル部２０ｂと共に第２共振回路２２を形成する第２キャパシタ１２ｂと、第１共振回路２１と第２共振回路２２とが同一周波数で共振状態となるように電源部１３の電源周波数ｆ、第１キャパシタ１２ａの静電容量Ｃ及び第２キャパシタ１２ｂの静電容量Ｃのうち少なくとも一つを調整する調整部と、を備える。