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| タイトル： | 特許公報(B2)_有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料 |
| 出願番号： | 2001004624 |
| 年次： | 2009 |
| IPC分類： | C07C 49/92,C23C 16/18,H01L 21/8246,H01L 27/105,C07F 7/28 |
特許情報キャッシュ
岡村 信吾 平社 英之 齋 篤 小木 勝実 JP 4356242 特許公報(B2) 20090814 2001004624 20010112 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料 三菱マテリアル株式会社 000006264 須田 正義 100085372 岡村 信吾 平社 英之 齋 篤 小木 勝実 20091104 C07C 49/92 20060101AFI20091015BHJP C23C 16/18 20060101ALI20091015BHJP H01L 21/8246 20060101ALI20091015BHJP H01L 27/105 20060101ALI20091015BHJP C07F 7/28 20060101ALN20091015BHJP JPC07C49/92C23C16/18H01L27/10 444CC07F7/28 F C07C 49/92 CA/REGISTRY(STN) 特開２００２−２１２１３０（ＪＰ，Ａ） 特開平１１−３２３５５６（ＪＰ，Ａ） 特開平０９−０４０６８２（ＪＰ，Ａ） 特開平１１−２８６４９４（ＪＰ，Ａ） 特開平１１−２９７６８０（ＪＰ，Ａ） Combustion and Flame，１９８１年，43，p.303-315 3 2002212128 20020731 10 20060331 安田 周史 【０００１】【発明の属する技術分野】 本発明は、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリー）等の誘電体メモリー、誘電体フィルター等に用いられる複合酸化物系誘電体薄膜を有機金属化学蒸着法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition、以下、ＭＯＣＶＤ法という。）により形成するための原料として好適な有機チタン化合物に関する。更に詳しくはこの有機チタン化合物を含む溶液原料に関するものである。【０００２】【従来の技術】 ＤＲＡＭの集積度が急ピッチで増大するにつれて、キャパシタとして用いられる誘電体薄膜は、従来のＳｉＯ2では対応が難しくなりつつあり、より誘電率の高い誘電体材料が求められている。かかる誘電体材料の例としては、チタン酸鉛（ＰＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳＴ）、チタン酸バリウム（ＢＴ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）等が挙げられる。【０００３】 このような複合酸化物系誘電体薄膜の形成方法については、金属アルコキシド原料を用いてスピンコートで基板上に成膜するゾルゲル法がこれまで盛んに研究されてきた。ゾルゲル法は、金属成分を気化させないため、膜の組成制御は容易である。しかし、ＤＲＡＭのキャパシタ用電極は段差があり、集積度が高くなるほど段差が大きく、かつ複雑になるので、スピンコート法では基板となる電極状に均一に誘電体薄膜を形成することが難しい。 そのため、ここ数年は、デバイスの高集積度を見越して、段差被覆性（＝ステップカバレッジ性、段差のある複雑形状の表面への付き回り性）に優れたＭＯＣＶＤ法による誘電体薄膜の作製の研究が活性化してきた。原料の有機金属化合物としては、ジピバロイルメタン（ＤＰＭ）等のβ−ジケトン化合物を配位子とする有機金属錯体や金属アルコキシドが一般に使用されている。Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ等の金属の原料にはアルコキシドとβ−ジケトン錯体の両方が使用され、ＳｒやＢａの原料としては主にβ−ジケトン錯体が使用される。【０００４】 ＭＯＣＶＤ法は、金属原料を減圧下で加熱して気化させ、その蒸気を成膜室に輸送して基板上で熱分解させることにより、生成した金属酸化物を基板上に付着させる方法である。このＭＯＣＶＤ法による誘電体薄膜の形成において、当初は、原料の有機金属化合物をそのまま加熱して気化させ、発生した蒸気を成膜室に送って成膜させていた。しかし、原料の有機金属化合物、特にＭＯＣＶＤ法に推奨されているＤＰＭ錯体のような化合物は安定性や気化性が悪く、使用中に気化性が低下したり、或いは気化性を高めるために加熱温度を上げると、原料化合物の蒸気が成膜室に達する前に熱分解することがある。そのため、原料を成膜室に安定して輸送することが困難であり、高価な原料が一回の成膜ごとに使い捨てになり、また膜の組成制御が困難で、良好な誘電特性を持つ薄膜を安定して成膜できないという問題があった。 そのため、原料を安定して供給できる溶液気化ＣＶＤ法が現在広く用いられている。この溶液気化ＣＶＤ法はＭＯＣＶＤ法の改良であり、固体のＣＶＤ原料を各種有機溶媒に溶解し、液体としてＣＶＤ装置に供給する方法である。【０００５】 しかしながら、Ｔｉ含有誘電体薄膜形成用のＣＶＤ原料として一般に知られているビスイソプロポキシビスジピバロイルメタナートチタン（以下、［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］という。）を溶液気化ＣＶＤ材料に用いる場合、この［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］は有機溶媒への溶解度が１．０ｍｏｌ／Ｌ以下と低いため、原料の供給量が制限されてしまう問題があった。また、［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］は５００℃未満の成膜温度では成膜速度が小さいという問題もあった。一方で、５００℃を越える成膜温度では、［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］の分解温度は２７０℃と低いために成膜時に気相での分解反応が進みやすく、気相分解種の基板への吸着確率が増大する。このため、表面に凹凸を有する基板に対する成膜時の段差被覆性が悪化する問題があった。【０００６】 この問題を解決するために、本出願人はＴｉ含有誘電体薄膜形成用のＣＶＤ原料としてビスターシャリーブトキシビスジピバロイルメタナートチタン（以下、［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ＤＰＭ)2］という。）を用いることを提案した（特開平９−４０６８３）。この［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ＤＰＭ)2］を用いて成膜することにより段差被覆性が良好な薄膜を形成することができる。【０００７】【発明が解決しようとする課題】 しかし、特開平９−４０６８３号公報に示される化合物では、有機溶媒への溶解度が０．５ｍｏｌ／Ｌ以下と［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］よりも小さく、原料を大量に供給できない問題があった。また、熱分解温度が［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］よりも高いため、成膜速度が小さいという問題もあった。【０００８】 本発明の目的は、有機溶媒への溶解度が高い有機チタン化合物を提供することにある。 本発明の別の目的は、高い成膜速度が得られ、熱安定性、気化安定性に優れた有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料を提供することにある。【０００９】【課題を解決するための手段】 請求項１に係る発明は、次の式（１）に示される有機チタン化合物である。【化３】 但し、結合基ＯＲ1がイソブトキシド基（以下、Ｏ-ｉ-Ｂｕという。）、ターシャリーブチルアルコキシド基（以下、Ｏ-ｔ-Ｂｕという。）又はターシャリーアミルアルコキシド基（以下、Ｏ-ｔ-Ａｍという。）であり、ｄｍｈｄは次の式（２）で表される２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン残基である。【００１０】【化４】 本発明の化合物は従来用いられてきたＤＰＭ化合物のメチル基の１つを水素に置き換えることにより、有機溶媒との親和性を増加させたため、有機溶媒への溶解度が向上する。【００１１】 請求項２に係る発明は、請求項１記載の有機チタン化合物を有機溶媒に溶解した溶液原料である。 請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明であって、有機溶媒がテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという。）、メチルテトラヒドロフラン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル又は酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒である溶液原料である。 請求項１に係る有機チタン化合物と上記溶媒とを混合した溶液原料は上記溶媒を混合しない場合と比較して原料を安定に供給できるためＭＯＣＶＤ法により成膜したときに更に一層堆積速度、即ち成膜速度が大きくなる。また、高い溶解度が得られるため、この溶液原料を用いてＭＯＣＶＤ法により成膜することにより大量にＭＯＣＶＤ装置に原料を供給できる。【００１２】【発明の実施の形態】 本発明の有機チタン化合物は、前述した式（１）に示される化合物である。 式（１）に示される結合基のＲ1は炭素数３〜１０の直鎖又は分岐アルキル基であり、ｄｍｈｄは前述した式（２）で表される２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン残基である。式（１）に示される結合基ＯＲ1は-Ｏ-ＣＲ2Ｒ3Ｒ4で表され、更に、-Ｏ-ＣＲ2Ｒ3Ｒ4はＲ2、Ｒ3及びＲ4の種類によりＯ-ｉ-Ｂｕ基、Ｏ-ｔ-Ｂｕ基又はＯ-ｔ-Ａｍ基となる。Ｒ2、Ｒ3及びＲ4で表される組合せを表１に示す。なお、表１中のＨは水素、Ｍはメチル基、Ｅはエチル基、ＩＰはイソプロピル基をそれぞれ示す。【００１３】【表１】【００１４】 また、本発明の溶液原料は、請求項１記載の有機チタン化合物を有機溶媒に溶解することにより調製される。有機溶媒はＴＨＦ、メチルテトラヒドロフラン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル又は酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒である。更に、本発明のチタン含有誘電体薄膜は、請求項４又は５記載の溶液原料を用いてＭＯＣＶＤ法により作製される。 上記溶媒を用いることにより、溶液原料をより安定して気化室や成膜室まで送込むことができ、結果としてＭＯＣＶＤにおける薄膜の成長速度が促進される。【００１５】 固体である原料化合物をそのまま減圧下で加熱し、気化させる方法では配管全てを加熱しておく必要があり、加熱されていない部分があると析出してしまい、配管が閉塞する。また、加熱された状態で長時間保存されるため、材質の変質が起こり、気化しにくくなり、原料の供給量が減少してしまう。この結果、成膜速度が減少してしまう。固体原料化合物を溶媒に溶解して溶液とした場合は、室温で気化室まで原料を供給できるため、配管の閉塞が少なくなり、原料が加熱されている時間が短く、原料の変質が抑制できるので安定して原料を供給でき、成膜速度は促進される。【００１６】【実施例】 次に本発明の実施例を比較例とともに説明する。 ＜実施例１＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を次の方法により合成した。 先ずテトライソブトキシチタン［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)4］を出発原料として用い、これを有機溶媒としてトルエンに１〜５重量％となるように溶解した。次いでこの溶解液に［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)4］に対して２倍モル量のＨｄｍｈｄを加え、この溶液を有機溶媒の沸点より高い温度で２時間加熱還流することにより、反応させた。この反応液を減圧下で濃縮し、白色結晶を得た。次にこの白色結晶をトルエンを用いて再結晶後、減圧下で昇華させる精製を繰返し行うことにより精製した結晶を得た。 得られた結晶の同定は1Ｈ-ＮＭＲ（Ｃ6Ｈ6）、質量分析及び元素分析により行った。1Ｈ-ＮＭＲ分析の結果ではδ＝５．４３６０（ｓ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．４０５３（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．２７６１（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、１．２３４８（ｄ、６Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．１０１９（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．０２１３（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、０．８７６２（ｄ、６Ｈ、ｉＢｕＯ-ＣＨ3）、３．３２６９（ｍ、２Ｈ、ｉＢｕＯ-ＣＨ2）、１．８７６１（ｍ、１Ｈ、ｉＢｕＯ-ＣＨ）であった。元素分析の結果では、Ｔｉ９．８％（理論値９．４）、Ｃ６１．４％（理論値６１．４）、Ｈ９．９％（理論値１０．２）、Ｏ１８．８％（理論値１８．９）であった。質量分析の結果では、ｍ／Ｚ＝４３０［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)(ｄｍｈｄ)2］、３７５［ＴｉＯ(ｄｍｈｄ)2］、３４９［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)］であった。【００１７】 ＜実施例２＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を次の方法により合成した。 先ずテトラターシャリーブトキシチタン［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)4］を出発原料として用い、これを有機溶媒としてトルエンに１〜５重量％となるように溶解した。次いでこの溶解液に［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)4］に対して２倍モル量のＨｄｍｈｄを加え、この溶液を有機溶媒の沸点より高い温度で２時間加熱還流することにより、反応させた。この反応液を減圧下で濃縮し、白色結晶を得た。次にこの白色結晶をトルエンを用いて再結晶後、減圧下で昇華させる精製を繰返し行うことにより精製した結晶を得た。 得られた結晶の同定は1Ｈ-ＮＭＲ（Ｃ6Ｈ6）、質量分析及び元素分析により行った。1Ｈ-ＮＭＲの結果ではδ＝５．４３６０（ｓ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．４０５３（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．２７６１（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、１．２３４８（ｄ、６Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．１０１９（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．０２１３（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．５３５２（ｓ、９Ｈ、ｔＢｕＯ-ＣＨ3）であった。元素分析の結果では、Ｔｉ９．６％（理論値９．４）、Ｃ６１．６％（理論値６１．４）、Ｈ１０．０％（理論値１０．２）、Ｏ１９．１％（理論値１８．９）であった。質量分析の結果では、ｍ／Ｚ＝４３０［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)(ｄｍｈｄ)2］、３７５［ＴｉＯ(ｄｍｈｄ)2］、３４９［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)］であった。【００１８】 ＜実施例３＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ｄｍｈｄ)2］を次の方法により合成した。 先ずテトラターシャリーアミルアルコキシチタン［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)4］を出発原料として用い、これを有機溶媒としてトルエンに１〜５重量％となるように溶解した。次いでこの溶解液に［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)4］に対して２倍モル量のＨｄｍｈｄを加え、この溶液を有機溶媒の沸点より高い温度で２時間加熱還流することにより、反応させた。この反応液を減圧下で濃縮し、白色結晶を得た。次にこの白色結晶をトルエンを用いて再結晶後、減圧下で昇華させる精製を繰返し行うことにより精製した結晶を得た。 得られた結晶の同定は1Ｈ-ＮＭＲ（Ｃ6Ｈ6）、質量分析及び元素分析により行った。1Ｈ-ＮＭＲの結果では、δ＝５．４３６０（ｓ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．４０５３（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、２．２７６１（ｍ、１Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ）、１．２３４８（ｄ、６Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．１０１９（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、１．０２１３（ｄ、３Ｈ、ｄｍｈｄ-ＣＨ3）、０．９７２９（ｔ、６Ｈ、ｔＡｍＯ-ＣＨ3）、１．３９５２（ｓ、６Ｈ、ｔＡｍＯ-ＣＨ3）、１．４３８３（ｍ、２Ｈ、ｔＡｍＯ-ＣＨ2）であった。元素分析の結果では、Ｔｉ８．９％（理論値９．０）、Ｃ６２．８％（理論値６２．７）、Ｈ１０．６％（理論値１０．４）、Ｏ１７．７％（理論値１７．９）であった。質量分析の結果では、ｍ／Ｚ＝４４４［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)(ｄｍｈｄ)2］、３７５［ＴｉＯ(ｄｍｈｄ)2］、３６３［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ｄｍｈｄ)］であった。【００１９】 ＜実施例４＞ 有機チタン化合物として実施例１で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用意した。この有機チタン化合物をＴＨＦに０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解して溶液原料を得た。 また、有機チタン化合物の他に、有機ストロンチウム化合物としてビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム錯体［Ｓｒ(ＤＰＭ)2］、有機バリウム化合物としてビス（ジピバロイルメタナト）バリウム錯体［Ｂａ(ＤＰＭ)2］をそれぞれ用意し、これらの化合物をＴＨＦにそれぞれ０．１ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解して２つの溶液原料を得た。上記３種の化合物の溶液原料を用いて、Ｓｒ原料を０．３ｍｌ／ｍｉｎ、Ｂａ原料を０．３ｍｌ／ｍｉｎ、Ｔｉ原料を０．６ｍｌ／ｍｉｎとなるように、それぞれ各流量を制御しながら混合室に送って混合し、この混合溶液を気化室で気化させ、気化した蒸気を成膜室に搬送して、ＭＯＣＶＤ法によりＴｉ含有誘電体薄膜を成膜した。基板として、シリコン基板を用い、基板温度を４５０℃とした。［Ｓｒ(ＤＰＭ)2］、［Ｂａ(ＤＰＭ)2］及び［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］の気化温度をそれぞれ２５０℃にした。また、反応圧力を２Ｔｏｒｒにそれぞれ設定した。キャリアガスとしてＨｅガスを用い、その流量を２５０ｓｃｃｍとした。また、反応ガスとして、Ｏ2を用い、その流量を１．０ｓｌｍとした。【００２０】 ＜実施例５＞ 有機チタン化合物として実施例２で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用いた以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜実施例６＞ 有機チタン化合物として実施例３で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ｄｍｈｄ)2］を用いた以外は実施例４と同様にして成膜した。【００２１】 ＜比較例１＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］を用いた以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜比較評価１＞ 基板温度４５０℃で成膜した実施例４〜６及び比較例１のＴｉ含有誘電体薄膜の段差被覆率及び成膜速度を測定した。表２にそれぞれ示す。 なお、段差被覆率は図１に示すような基板１０の凹凸の面に成膜したときに、凸部表面に形成された膜１１の厚さをａ、凹部表面に形成された膜１１の厚さをｂとした場合に、ａ／ｂの値をいう。この段差被覆率が１に近いとき、凹部及び凸部の両面に均一な膜が形成されていることになり、段差被覆性がよいことになる。【００２２】【表２】 表２より明らかなように、比較例１に比べて実施例４〜６では低温での成膜においても大きな成膜速度を有していることがわかる。これにより、基板温度を低く設定することができる。【００２３】 ＜実施例７＞ 有機チタン化合物として実施例１で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜実施例８＞ 有機チタン化合物として実施例２で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜実施例９＞ 有機チタン化合物として実施例３で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ｄｍｈｄ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。【００２４】 ＜比較例２＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜比較例３＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ＤＰＭ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜比較例４＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ＤＰＭ)2］を用い、基板温度を５５０℃とした以外は実施例４と同様にして成膜した。 ＜比較評価２＞ 基板温度５５０℃で成膜した実施例７〜９及び比較例２〜４のＴｉ含有誘電体薄膜の段差被覆率及び成膜速度を測定した。表３にそれぞれ示す。【００２５】【表３】 表３により明らかなように、実施例７〜９では比較例３及び４と同等の段差被覆率を有し、比較例２に比べ段差被覆率に優れる。また、段差被覆率が同等の比較例３及び４に比べて成膜速度が大きい。これらのことから、本発明化合物は従来化合物を用いた場合に比べ高温での成膜においても良好な段差被覆性を確保しながら成膜速度を大きくすることができることが判る。【００２６】 ＜実施例１０＞ 有機チタン化合物として実施例１で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用意した。また有機溶媒としてＴＨＦ、ｎ−オクタン、酢酸ブチル及びピリジンをそれぞれ用意し、これら有機溶媒に有機チタン化合物をそれぞれ溶解して溶液原料を調製した。 ＜実施例１１＞ 有機チタン化合物として実施例２で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ｄｍｈｄ)2］を用いた以外は実施例１０と同様にして溶解した。 ＜実施例１２＞ 有機チタン化合物として実施例３で合成した［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ｄｍｈｄ)2］を用いた以外は実施例１０と同様にして溶解した。【００２７】 ＜比較例５＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］を用いた以外は実施例１０と同様にして溶解した。 ＜比較例６＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ｂｕ)2(ＤＰＭ)2］を用いた以外は実施例１０と同様にして溶解した。 ＜比較例７＞ 有機チタン化合物として［Ｔｉ(Ｏ-ｔ-Ａｍ)2(ＤＰＭ)2］を用いた以外は実施例１０と同様にして溶解した。 ＜比較評価３＞ 実施例１０〜１２及び比較例５〜７の有機チタン化合物の各有機溶媒における溶解度を測定した。表４にそれぞれ示す。【００２８】【表４】 表４より明らかなように、同等の段差被覆性を有する比較例６及び７と比べて実施例１０〜１２の溶解度はそれぞれ大きく、比較例５は実施例１０〜１２と溶解度はほぼ同等であるがこの比較例５は段差被覆性が悪い。実施例１０〜１２は各種有機溶媒への溶解度が大きいことから原料を大量に供給できるために成膜が効率よく行える点で優れていることが判る。【００２９】【発明の効果】 以上述べたように、本発明の一般式［Ｔｉ(ＯＲ1)2(ｄｍｈｄ)2］からなる有機チタン化合物（但し、結合基ＯＲ1がＯ-ｉ-Ｂｕ基、Ｏ-ｔ-Ｂｕ基又はＯ-ｔ-Ａｍ基である。）は、この化合物を原料としてＭＯＣＶＤ法により成膜すると、従来の［Ｔｉ(Ｏ-ｉ-Ｐｒ)2(ＤＰＭ)2］に代表される有機チタン化合物と比べて、有機溶媒への溶解度が高いため、ＭＯＣＶＤ装置に大量に原料を供給することができる。本発明の有機チタン化合物を有機溶媒に溶解した溶液原料は高い成膜速度でチタン含有誘電体薄膜が得られる。また、熱安定性、気化安定性に優れるため、高い純度の薄膜が得られる。この溶液原料を用いて薄膜を作製すると基板表面の凹凸が大きくても段差被覆性が良好である特長を有する。【図面の簡単な説明】【図１】 ＭＯＣＶＤ法により成膜したときの段差被覆率の求め方を説明するための基板断面図。 次の式（１）に示される有機チタン化合物。 但し、結合基ＯＲ1がイソブトキシド基、ターシャリーブチルアルコキシド基又はターシャリーアミルアルコキシド基であり、ｄｍｈｄは次の式（２）で表される２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン残基である。 請求項１記載の有機チタン化合物を有機溶媒に溶解した溶液原料。 有機溶媒がテトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル又は酢酸アミルからなる群より選ばれた１種又は２種以上の溶媒である請求項２記載の溶液原料。