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| タイトル： | 特許公報(B2)_ホスフィニン、それらの金属錯体及びホスフィニン及びそれらの金属錯体の使用 |
| 出願番号： | 2001357869 |
| 年次： | 2008 |
| IPC分類： | C07F 9/6584,B01J 31/22,C07C 45/50,C07C 47/02,C07B 61/00 |
特許情報キャッシュ
デトレフ ゼーレント アルミン ベルナー レナート カディロフ コルネリア ボルクマン ディーター ヘス クラウス−ディーター ヴィーゼ ディルク レットガー JP 4143290 特許公報(B2) 20080620 2001357869 20011122 ホスフィニン、それらの金属錯体及びホスフィニン及びそれらの金属錯体の使用 エボニック オクセノ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 398054432 Ｅｖｏｎｉｋ Ｏｘｅｎｏ ＧｍｂＨ 矢野 敏雄 100061815 山崎 利臣 100094798 久野 琢也 100099483 アインゼル・フェリックス＝ラインハルト 100114890 ラインハルト・アインゼル 230100044 デトレフ ゼーレント アルミン ベルナー レナート カディロフ コルネリア ボルクマン ディーター ヘス クラウス−ディーター ヴィーゼ ディルク レットガー DE 10058383.0 20001124 20080903 C07F 9/6584 20060101AFI20080814BHJP B01J 31/22 20060101ALN20080814BHJP C07C 45/50 20060101ALN20080814BHJP C07C 47/02 20060101ALN20080814BHJP C07B 61/00 20060101ALN20080814BHJP JPC07F9/6584B01J31/22 ZC07C45/50C07C47/02C07B61/00 300 CAplus(STN) REGISTRY(STN) 特開平０８−２５９５７８（ＪＰ，Ａ） 特開平０４−２９０５５１（ＪＰ，Ａ） 特開昭６２−２８９５９０（ＪＰ，Ａ） 特開昭６２−１１６５３５（ＪＰ，Ａ） 4 2002212195 20020731 24 20040401 藤森 知郎 【０００１】【発明の属する技術分野】本発明はホスフィニン及びそれらの金属錯体、その製造並びに該ホスフィニンの触媒反応での配位子としての使用に関する。【０００２】【従来の技術】オレフィン化合物、一酸化炭素及び水素の触媒の存在下での反応により１つだけのＣ−原子を増加するアルデヒドにすることは、ヒドロホルミル化（オキシ化）として公知である。この反応における触媒としては、しばしば元素の周期系の第ＶＩＩＩ族の遷移金属の化合物、特にロジウム化合物及びコバルト化合物が使用される。ロジウム化合物によるヒドロホルミル化はコバルトを有する触媒と比較して一般により高い選択性の利点を提供し、従って大概は経済的である。ロジウムによって触媒されるヒドロホルミル化においては、大抵はロジウム、有利には配位子としての三価のリン化合物からなる錯体を使用する。公知の配位子は、例えばホスフィン、ホスファイト及びホスホナイトのクラスからなる化合物である。オレフィンのヒドロホルミル化の水準の良好な概括はＢ．ＣＯＲＮＩＬＳ，Ｗ．Ａ．ＨＥＲＲＭＡＮＮ，“Applied Homogeneous Catalysis with Organometallic Compounds”，Ｖｏｌ．１＆２，ＶＣＨ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９９６に見られる。【０００３】各触媒系（コバルト又はロジウム）はそれらに特異的な利点を有する。従って使用物質及び目的生成物に応じて以下の例に示すような触媒系が使用される。ロジウム及びトリフェニルホスフィンで実施する場合は、α−オレフィンをより低い圧力でヒドロホルミル化することができる。リン含有配位子としては、一般にトリフェニルホスフィンが過剰に使用され、その際、市場に望まれるｎ−アルデヒド生成物への反応の選択性を高めるためには配位子／ロジウムの高い比が必要である。【０００４】米国特許第４６９４１０９号明細書及び米国特許第４８７９４１６号明細書はビスホスフィン配位子並びに低い合成気圧でのオレフィンのヒドロホルミル化におけるその使用を記載している。特にプロペンのヒドロホルミル化においては、この種の配位子によって高い活性及び高いｎ／ｉ−選択性が達成される。ＷＯ９５／３０６８０号においては、二座のホスフィン配位子並びに触媒反応、とりわけヒドロホルミル化反応でのそれらの使用も開示している。フェロセン架橋したビスホスフィンは、例えばＵＳ４１６９８６１号、ＵＳ４２０１７１４号及びＵＳ４１９３９４３号においてヒドロホルミル化のための配位子として記載されている。【０００５】二座のホスフィン配位子の欠点は、これを製造するのに必要な比較的高い費用である。従って、工業的プロセスでかかる系を使用することはあまり利益を生まない。【０００６】ロジウム−モノホスファイト−錯体は、内部の二重結合を有する分枝鎖状オレフィンのヒドロホルミル化のために適当な触媒であるが、末端でオキシ化された化合物のための選択性は低い。ＥＰ０１５５５０８号から、ビスアリーレン置換されたモノホスファイトを立体障害オレフィン、例えばイソブテンのロジウム触媒によるヒドロホルミル化において使用することは公知である。【０００７】ロジウム−ビスホスファイト−錯体は内部及び末端に存在する二重結合を有する直鎖状のオレフィンのヒドロホルミル化を触媒し、その際、主に末端でヒドロホルミル化された生成物が生じ、それに対して内部の二重結合を有する分枝鎖状のオレフィンは僅かな量でしか変換されない。これらの配位子は、遷移金属中心へのその配位において高められた活性の触媒をもたらすが、該触媒系の滞留時間は、とりわけホスファイト配位子の加水分解感受性の故に不十分である。ＥＰ０２１４６２２号又はＥＰ０４７２０７１号に記載されるように、ホスファイト配位子のための出発材料として置換ビスアリールジオールを使用することによって多大な改善が達成されうる。【０００８】前記の文献に基づいて、配位子のロジウム錯体は極めて活性なα−オレフィンのためのヒドロホルミル化触媒である。米国特許第４６６８６５１号明細書、米国特許第４７４８２６１号明細書及び米国特許第４８８５４０１号においては、ポリホスファイト配位子が記載されており、それによってα−オレフィン、また２−ブテンも高い選択性で末端でオキシ化された生成物に変換することができる。この種の二座の配位子はブタジエンのヒドロホルミル化のためにも使用された（ＵＳ５３１２９９６号）。【０００９】【発明が解決しようとする課題】挙げられるホスフィンはロジウム−ヒドロホルミル化触媒のための非常に良好な錯体配位子であるにもかかわらず、その作用及び安定性を更になお改善することが望ましい。【００１０】【課題を解決するための手段】一般構造Ｉ：【００１１】【化１３】【００１２】を有するホスフィニンを容易に製造でき、かつこれらは金属−触媒による反応での配位子として適当であることが判明した。【００１３】本発明の対象は、従って一般式Ｉ：【００１４】【化１４】【００１５】［式中、ｎ＝０又は１、Ｙ＝Ｏ、ＮＨ、ＮＲ１、Ｒ１＝Ｈ、１〜２５個の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族の炭化水素基、ＣＨ３、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９＝Ｈ、１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基（その際、Ｒ２〜Ｒ９は同一又は異なる意味を有し、互いに共有結合していてよい）、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＦ３、−ＯＲ１０、−ＣＯＲ１０、−ＣＯ２Ｒ１０、−ＣＯ２Ｍ、−ＳＲ１０、−ＳＯ２Ｒ１０、−ＳＯＲ１０、−ＳＯ３Ｒ１０、−ＳＯ３Ｍ、−ＳＯ２ＮＲ１０Ｒ１１、ＮＲ１０Ｒ１１、Ｎ＝ＣＲ１０Ｒ１１、ＮＨ２、Ｒ１０、Ｒ１１＝Ｈ、１〜２５個の炭素原子を有する置換又は非置換の、脂肪族又は芳香族の炭化水素基（これらは同一又は異なる意味を有する）、Ｍ＝アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、Ｑ＝１〜５０個の炭素原子を有する分枝鎖状、脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基、Ｗ、Ｘ＝１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基（これらは同一又は異なるか、互いに共有結合していてよい）］のホスフィニンである。【００１６】本発明によるホスフィニンの特定の実施形は、式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及びＶ：【００１７】【化１５】【００１８】【化１６】【００１９】［式中、式ＩＩに関してはＷ及びＸは１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基を意味し、Ｘ及びＷは同一又は異なってよく、かつ互いに共有結合していてよい］のホスフィニンに関する。Ｘ及びＷは式ＩＩＩ、ＩＶ及びＶにおいて前記のように置換された又は非置換のビスフェニル系又はナフチル系を表し、ＹはＯ、ＮＨ、ＮＲ１、特に酸素を表し、ｎは０又は１を表す。官能基Ｒ１〜Ｒ３０及びＱは以下の意味又は既に挙げられた意味を有する。【００２０】式ＩＩＩにおいては、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７はＨ、１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基（Ｒ１２〜Ｒ１７は同一又は異なる意味を有してよく、かつ互いに共有結合していてよい）、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＦ３、−ＯＲ１８、−ＣＯＲ１８、−ＣＯ２Ｒ１８、−ＣＯ２Ｍ、−ＳＲ１８、−ＳＯ２Ｒ１８、−ＳＯＲ１８、−ＳＯ３Ｒ１８、−ＳＯ３Ｍ、−ＳＯ２ＮＲ１８Ｒ１９、ＮＲ１８Ｒ１９、Ｎ＝ＣＲ１８Ｒ１９、ＮＨ２を表し、Ｍはアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン又はホスホニウムイオンを表し、Ｒ１８及びＲ１９は同一又は異なってよく、それぞれＨ、メチル、ｔ−ブチル、１〜２５個の炭素原子を有する置換又は非置換の、脂肪族又は芳香族の炭化水素基（これらは同一又は異なる意味を表してよい）を表す。【００２１】式ＩＶにおいては：Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８＝Ｈ、１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基（Ｒ２１〜Ｒ２８は同一又は異なる意味を有してよく、かつ互いに共有結合していてよい）、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＦ３、−ＯＲ２９、−ＣＯＲ２９、−ＣＯ２Ｒ２９、−ＣＯ２Ｍ、−ＳＲ２９、−ＳＯ２Ｒ２９、−ＳＯＲ２９、−ＳＯ３Ｒ２９、−ＳＯ３Ｍ、−ＳＯ２ＮＲ２９Ｒ３０、ＮＲ２９Ｒ３０、Ｎ＝ＣＲ２９Ｒ３０、ＮＨ２、Ｒ２９、Ｒ３０＝Ｈ、１〜２５個の炭素原子を有する置換又は非置換の脂肪族又は芳香族の炭化水素基、Ｍ＝アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、ホスホニウムイオン、Ｙは酸素を意味し、ｎは値１を示し、かつＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＱは請求項１記載の意味を有し、その際、Ｒ２〜Ｒ９は同一又は異なる意味を有し、互いに共有結合していてよい。【００２２】式Ｖにおいて、Ｒ２０はＨ、ＣＨ３、１〜２５個の炭素原子を有する脂肪族又は芳香族の炭化水素基を表し、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７、Ｒ２８はＨ、１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基（Ｒ２１〜Ｒ２８は同一又は異なる意味を有してよく、かつ互いに共有結合していてよい）、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＦ３、−ＯＲ２９、−ＣＯＲ２９、−ＣＯ２Ｒ２９、−ＣＯ２Ｍ、−ＳＲ２９、−ＳＯ２Ｒ２９、−ＳＯＲ２９、−ＳＯ３Ｒ２９、−ＳＯ３Ｍ、−ＳＯ２ＮＲ２９Ｒ３０、ＮＲ２９Ｒ３０、Ｎ＝ＣＲ２９Ｒ３０、ＮＨ２、Ｒ２９、Ｒ３０＝Ｈ、１〜２５個の炭素原子を有する置換又は非置換の脂肪族又は芳香族の炭化水素基、Ｍ＝アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、ホスホニウムイオン、ＹはＮＲ２０を意味し、ｎは値０を示し、かつＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＱは請求項１記載の意味を有し、その際、Ｒ２〜Ｒ９は同一又は異なる意味を有し、互いに共有結合していてよい。【００２３】Ｑのための例は、脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族又は脂肪族−芳香族であってよい二価の炭化水素基である。場合により存在する環系は、そこで前記の炭化水素基によって置換されていてよい。開鎖の構造要素においては、１つ以上のメチレン基は酸素及び／又は硫黄及び／又はＮＲ１及び／又はＮＨによって、及び／又は１つ以上のＣＨ基は窒素によって置換されていてよい。【００２４】有利にはＱは芳香族基を有する二価の基を表す。Ｑは、例えばフェニレン基、ナフチレン基、二価のビスアリーレン基又はジフェニルエーテルの二価の基であってよい。更にＱは一般構造：−Ａｒ−Ｚ−Ａｒ−を有していてよい。そこでは、Ａｒは単環以上の二価の芳香族基を意味する。Ｚは直接結合又は場合により置換されたメチレン基：−ＣＲ４１Ｒ４２−［式中、Ｒ４１及びＲ４２は水素及び／又は１〜２５個の炭素原子を有する脂肪族及び／又は芳香族の基を表し、更に複素原子を有していてよい］のどちらかを表してよい。更に基Ｒ４１及びＲ４２は１つ以上の環に結合してよく、すなわち共有結合を有していてよい。【００２５】一般式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及びＶによるホスフィニンのうちでも、基Ｑが式ＶＩ：【００２６】【化１７】【００２７】［式中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６、Ｒ３７、Ｒ３８＝Ｈ、１〜５０個の炭素原子を有する脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族、脂肪族−芳香族の炭化水素基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＦ３、−ＯＲ３９、−ＣＯＲ３９、−ＣＯ２Ｒ３９、−ＣＯ２Ｍ、−ＳＲ３９、−ＳＯ２Ｒ３９、−ＳＯＲ３９、−ＳＯ３Ｒ３９、−ＳＯ３Ｍ、−ＳＯ２ＮＲ３９Ｒ４０、ＮＲ３９Ｒ４０、Ｎ＝ＣＲ３９Ｒ４０、ＮＨ２、Ｒ３９、Ｒ４０＝Ｈ、１〜２５個の炭素原子を有する置換又は非置換の、脂肪族又は芳香族の炭化水素基、Ｍ＝アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、その際、ａ位及びｂ位は式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及びＶの化合物中の構造要素Ｏ−Ｑ−Ｏにおける置換基の結合点として位置する］による炭化水素基（ビスアリーレン基）を表す。【００２８】Ｗ及びＸのための例は、脂肪族、脂環式、脂肪族−脂環式、複素環式、脂肪族−複素環式、芳香族、芳香族−芳香族又は脂肪族−芳香族であってよい炭化水素基である。これらの基中に存在する環系は、そこで前記の炭化水素基によって置換されていてよい。開鎖の構造要素においては、１つ以上のメチレン基が酸素及び／又は硫黄及び／又はＮＲ１及び／又はＮＨによって置換されており、かつ／又は１つ以上のＣＨ基は窒素によって置換されていてよい。【００２９】また本発明の対象は、元素の周期系の第４、５、６、７又は８副族の金属及び式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及び／又はＶの１種以上のホスフィニンを含有するホスフィニン金属錯体である。これらのホスフィニンの置換基（Ｒ１〜Ｒ４２、Ｑ、Ｘ、Ｙ、ｎ、Ｗ）は既に記載した意味を有する。【００３０】以下に、配位子の代表的な例を一般式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及びＶによって本発明の範囲において示すが、本発明の保護範囲を制限するものではない。【００３１】【化１８】【００３２】【化１９】【００３３】【化２０】【００３４】本発明によるホスフィニンは簡単な反応によって製造できる。基本的な方法は、一般式ＩＩによる化合物への経路で説明する。【００３５】１）三ハロゲン化リン、有利には三塩化リンをジオール又は２モル当量のアルコールと反応させて、モノハロゲンホスファイト（中間生成物Ａ）にする。【００３６】【化２１】【００３７】２）中間生成物Ａから、ジオール（ＨＯ−Ｑ−ＯＨ）との反応によってヒドロキシル置換されたホスファイトを得る（中間生成物Ｂ）。【００３８】【化２２】【００３９】３）中間生成物Ｂと成分Ｃとの反応から、所望の二座の配位子が得られる。【００４０】【化２３】【００４１】Ｃ型の化合物の合成は文献に記載されている。これらは、例えば２−アミノビフェニレンと三塩化リンとをルイス酸触媒の存在下に反応させることによって容易に得られる。【００４２】一般式ＩＩによる化合物への合成経路は、通常の多くのプロセスの１つだけであるが、基本的な方法を示している。選択的な経路は、例えばＣとジオール成分との反応及び引き続いてのＡとの反応を実施して目的生成物にすることである。【００４３】【化２４】【００４４】使用されるジオール及びそれら二次生成物はしばしば固体なので、反応は一般に溶剤中で実施する。溶剤としては、ジオールともリン化合物とも反応する非プロトン性溶剤を使用する。適当な溶剤は、例えばテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル又は芳香族炭化水素、例えばトルエンである。【００４５】ハロゲン化リンとアルコールとの反応において、添加された塩基によって結合されるハロゲン化水素が生じる。例えば、第三級アミン、例えばトリエチルアミンが使用される。部分的に、反応の前にアルコールを金属アルコレートに、例えばナトリウムヒドリド又はブチルリチウムとの反応によって変換することが合理的でもある。【００４６】式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及びＶの本発明によるホスフィニンは、元素の周期系の第４、５、６、７又は８副族の金属との錯体の製造のために適当な成分である。特に、第８副族の金属によって、これらの錯体をカルボニル化反応又はヒドロホルミル化反応、例えばＣ２〜Ｃ２５−オレフィンのヒドロホルミル化のための触媒として使用できる。これらの配位子は、高い安定性において優れている。触媒金属としてのロジウムの使用において、ヒドロホルミル化反応における高い触媒活性が生じる。それらの高い分子量に基づいて、本発明によるホスフィニンは僅かな揮発性を有する。従ってこれらは易揮発性反応生成物から容易に分離することができる。これらは、通常の有機溶剤中に十分良好に可溶性である。【００４７】本発明の他の対象は、式ＩないしＶによるホスフィニンの使用もしくは、有利には２〜２５個の炭素原子を有するオレフィンを相応のアルデヒドにヒドロホルミル化するための相応のホスフィニン金属錯体である。【００４８】触媒活性金属錯体の製造のために、有利には本発明によるホスフィニンのために使用される金属はロジウム、コバルト、白金及びルテニウムである。本発明による配位子及び金属から、反応条件下に活性触媒が形成される。この場合、本発明による配位子は、遊離形で反応混合物中に添加できる。更に、前記のホスフィン配位子を含有する遷移金属錯体を本来の触媒活性を有する錯体のための前駆体として使用することが可能である。ヒドロホルミル化プロセスは、化学量論的または過剰量の遊離ホスフィニン配位子（例えば１：１〜１：２００モル％／モル％）で実施できる。【００４９】更に種々の配位子（本発明によるホスフィニンでも別の適当なリン含有配位子でも）の混合物が遊離の配位子成分として存在してよい。【００５０】付加的に反応混合物中に存在する配位子としては、ホスフィン、ホスファイト、ホスホナイト又はホスフィナイトを使用することができる。【００５１】かかる配位子のための例は：ホスフィン：トリフェニルホスフィン、トリス（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス（ｍ−トリル）ホスフィン、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−（１−ナフチル）ホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、ホスファイト：トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリ−ｎ−プロピルホスファイト、トリ−ｉ−プロピルホスファイト、トリ−ｎ−ブチルホスファイト、トリ−ｉ−ブチルホスファイト、トリ−ｔ−ブチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（ｐ−クレシル）ホスファイトである。更にとりわけＥＰ１５５５０８号、ＵＳ４６６８６５１号、ＵＳ４７４８２６１号、ＵＳ４７６９４９８号、ＵＳ４７７４３６１号、ＵＳ４８３５２９９号、ＵＳ４８８５４０１号、ＵＳ５０５９７１０号、ＵＳ５１１３０２２号、ＵＳ５１７９０５５号、ＵＳ５２６０４９１号、ＵＳ５２６４６１６号、ＵＳ５２８８９１８号、ＵＳ５３６０９３８号、ＥＰ４７２０７１号、ＥＰ５１８２４１号及びＷＯ９７／２０７９５号に記載されるような立体障害ホスファイト配位子が適当な配位子である。【００５２】ホスホナイト：メチルジメトキシホスフィン、フェニルジメトキシホスフィン、フェニルジフェノキシホスフィン、２−フェノキシ−２Ｈ−ジベンズ［ｃ，ｅ］［１，２］オキサホスホリン及び、水素原子が完全に又は部分的にアルキル基、アリール基又はハロゲン原子によって置換されている誘導体並びにＷＯ／９８４３９３５号、ＪＰ０９−２６８１５２号及びＤＥ１９８１０７９４号及びドイツ国特許出願ＤＥ１９９５４７２１号及びＤＥ１９９５４５１０号に記載されるような配位子。【００５３】慣用のホスホナイト配位子は、とりわけＵＳ５７１０３４４号、ＷＯ９５／０６６２７号、ＵＳ５３６０９３８号又はＪＰ０７０８２２８１号に記載されている。このための例は、ジフェニル（フェノキシ）ホスフィン及び、水素原子が完全に又は部分的にアルキル基、アリール基又はハロゲン原子によって置換されている誘導体、ジフェニル（メトキシ）ホスフィン、ジフェニル（エトキシ）ホスフィン等である。【００５４】一般に１モルの第ＶＩＩＩ族の遷移金属あたり１〜５００、有利には１〜２００、より有利には３〜５０モルの本発明による配位子が使用される。反応のそれぞれの時点（Zeitprodukt）に新たな配位子を添加し、遊離配位子の濃度を一定に保持することができる。本発明による遷移金属−ホスフィニン錯体触媒はその使用の前に合成してよい。しかしながら一般に触媒前駆体及び本発明によるホスフィニン配位子からなる触媒活性錯体は反応媒体中でその場で形成される。【００５５】触媒前駆体としては、遷移金属の塩又は錯体が使用される。例はロジウムカルボニル、ロジウムニトレート、ロジウムクロリド、Ｒｈ（ＣＯ）２（ａｃａｃ）（ａｃａｃ＝アセチルアセトネート）、ロジウムアセテート、ロジウムオクタノエート又はロジウムノナノエートである。【００５６】反応混合物中の金属の濃度は、１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ、有利には５ｐｐｍ〜３００ｐｐｍの範囲にある。【００５７】本発明によるホスフィニンもしくは相応の金属錯体によって実施されるヒドロホルミル化反応は、例えばＪ．ＦＡＬＢＥ，“一酸化炭素による新規合成”（J. FALBE, "New Syntheses with Carbon Monoxide", Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Seite 95 ff., (1980)）に記載されるような公知の指示で実施する。【００５８】本発明によるホスフィニンもしくはホスフィニン金属錯体を触媒として使用するヒドロホルミル化法のための反応温度は、４０℃〜１８０℃、有利には７５℃〜１４０℃である。ヒドロホルミル化が進行する圧力は１〜３００バール、有利には１５〜６４バールの合成ガスである。合成ガスにおける水素と一酸化炭素との比（Ｈ２／ＣＯ）は１０／１〜１／１０、有利には１／１〜２／１である。【００５９】触媒もしくは配位子は、出発材料（オレフィン）及び生成物（アルデヒド、アルコール、過程で生成する高沸点物）からなるヒドロホルミル化混合物中に均質に溶解される。場合により、更に溶剤を使用する。【００６０】ヒドロホルミル化のための出発材料は、モノオレフィン又は２〜２５個の炭素原子を有する末端又は内部のＣ−Ｃ二重結合を有するモノオレフィンの混合物である。これらは、直鎖状、分枝鎖状又は環式の構造であってよく、かつ複数のオレフィン性不飽和基を有する。例は、プロペン、１−ブテン、ｃ−２−ブテン、ｔ−２−ブテン、イソブテン、ブタジエン、Ｃ４−オレフィン、１−ペンテン又は２−ペンテンの混合物、２−メチルブテン−１、２−メチルブテン−２、３−メチルブテン−１、１−、２−又は３−ヘキセン（プロペンの二量体化において生じるＣ６−オレフィン混合物（ジプロペン））、１−ヘプテン、ヘプテン、２−又は３−メチル−１−ヘキセン、１−オクテン、オクテン、２−メチルヘプテン、３−メチルヘプテン、５−メチルヘプテン−２、６−メチルヘプテン−２、２−エチルヘキセン−１（ブテンの二量体化において生じる異性体のＣ８−オレフィン混合物（ジブテン））、１−ノネン、ノネン、２−又は３−メチルオクテン（プロペンの三量体化において生じるＣ９−オレフィン混合物（トリプロペン））、デセン、２−エチル−１−オクテン、ドデセン（プロペンの四量体化又はブテンの三量体化において生じるＣ１２−オレフィン混合物（テトラプロペン又はトリブテン））、テトラデセン、ヘキサデセン（ブテンの四量体化において生じるＣ１６−オレフィン混合物（テトラブテン））並びに種々のＣ数（有利には２〜４）を有するオレフィンのコオリゴマー化（Cooligomerisation）によって、場合により同一又は類似のＣ数を有する留分における留去によって製造されるオレフィン混合物である。場合により、フィッシャー−トロプシュ合成によって得られるオレフィン又はオレフィン混合物並びにエテンのオリゴマー化によって得られるか、又はメタテーゼ反応又はテロマー化反応によって得られるオレフィンを使用してよい。【００６１】有利な出発材料は、プロペン、１−ブテン、２−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ブテンの二量体及び三量体（ジブテン、ジ−ｎ−ブテン、ジ−イソ−ブテン、トリブテン）及び一般的なα−オレフィンである。【００６２】ヒドロホルミル化は、連続的又は断続的に実施できる。工業的な実施のための例は、撹拌槽、気泡塔、ジェットノズル式反応器、管型反応器又はループ式反応器であり、これらは部分的にカスケードであってよく、かつ／又は内部構造物が設けられていてよい。【００６３】反応は、連続又は多段階で実施してよい。生成したアルデヒド化合物を触媒から分離することは、従来の方法、例えば分別によって実施できる。工業的には、例えば蒸留、流下薄膜型蒸発器又は薄膜型蒸発器を介して実施してよい。特に触媒を高沸点溶剤中に溶解する場合には、低沸点生成物から分離することが重要である。分離された触媒溶液を更なるヒドロホルミル化のために使用してよい。より低級のオレフィン（例えばプロペン、ブテン、ペンテン）を使用する場合には、生成物を反応器から気相を介して排出することも可能である。【００６４】以下の実施例は本発明を説明するべきであるが、特許請求の範囲からの使用範囲に制限されるものではない。【００６５】【実施例】全ての調製物は、標準的なシュレンク技術によって保護ガス下に実施された。溶剤は使用前に適当な乾燥剤上で乾燥させた。【００６６】例１１０−クロロ−９−メチル−９，１０−ジヒドロ−９−アザ−１０−ホスファフェナントレンの製造【００６７】【化２５】【００６８】ａ）２−エトキシカルボニルアミノビフェニル１５０ｍｌのジクロロメタン中の２５ｇの２−アミノビフェニル（０．１４８モル）及び７９ｇのピリジン（１モル）の混合物に、２０ｍｌのジクロロメタン中の２１．７ｇ（０．２モル）のクロロギ酸エチルエステルの溶液を撹拌下に緩慢に滴加する。１２時間の撹拌の後に、１００ｍｌの１０％のＮａＯＨの添加を実施する。水相を分離し、ジクロロメタンで振出させる。硫酸ナトリウム上での乾燥の後に、溶剤を真空中で除去し、残留する赤色の油をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル６０、０．０４３...０．０６０ｍｍ、溶出液ヘキサン／酢酸エチル＝９：１）を後処理する。収率：３１．７ｇ＝８９％。【００６９】ｂ）Ｎ−メチル−ｏ−フェニルアニリン３００ｍｌのＴＨＦ中の１４．２ｇ（０．３７３モル）のリチウムアルミニウムヒドリドの懸濁液に、１００ｍｌのＴＨＦ中の１８ｇ（０．０７５モル）の２−エトキシカルボニルアミノビフェニルの溶液を滴加する。１時間、後撹拌し、次いで３時間還流加熱する。引き続き、氷冷下にまず２８ｍｌの水を、次いで１８ｍｌの１５％の苛性ソーダ液を滴加する。沈殿物を分離した後に、これをエーテルで複数回洗浄する。精製された濾液を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、溶剤の蒸発後に得られる帯赤色の液体を０．０１ミリバールで分別する。沸点：６５〜６７℃。【００７０】収率：１０．６４ｇ＝７７％。【００７１】ｃ）１０−クロロ−９−メチル−９，１０−ジヒドロ−９−アザ−１０−ホスファ−フェナントレン（前駆体Ｃ１）ＰＣｌ３とのアミノ化合物の環化は、９−Ｈ−誘導体のための工程（M. J. S. Dewar, V. P. Kubba, J. Amer. Chem. Soc. 1960, 82, 5685-5688）と同様に実施する。１０ｇ（０．０５２モル）のＮ−メチルアミノビフェニルから出発して、９ｇ＝７０％のクロロ化合物が得られる。３１Ｐ−ＮＭＲ：（Ｃ６Ｄ６）δ９９．０９ｐｐｍ。【００７２】例２前駆体Ｂの合成【００７３】【化２６】【００７４】前駆体Ｂ２２ｍｌのＴＨＦ中の２．４２ｇの２，２′−ビス（６−ｔ−ブチル−１−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）（６．７５ミリモル）及び１．６ｍｌのピリジンの溶液に、１０ｍｌのＴＨＦ中の０．９３ｇのＰＣｌ３（６．７５ミリモル）の溶液を０℃で滴加する。２５℃で４時間撹拌した後に、真空中で溶剤を除去する。４０ｍｌのジエチルエーテルの添加、濾過及び真空中での濃縮の後に、２．８ｇ（９８％）の、２，２′−ビス（６−ｔ−ブチル−１−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）の分光測定的に純粋なクロロ亜リン酸エステル（３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）δ１７２．７ｐｐｍ）が得られる。２０ｍｌのＴＨＦ中の２．８ｇのクロロエステル（６．６２ミリモル）を、３０ｍｌのＴＨＦ中の２．３７ｇの２，２′−ビス（６−ｔ−ブチル−１−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）（６．６２ミリモル）及びｎ−ブチルリチウムの０．３２Ｍのヘキサン溶液２０．７ｍｌ（６．６２ミリモル）から−２０℃で得られるモノリチウムフェノラート溶液に室温で添加する。２４時間後に真空中で濃縮する。４０ｍｌの塩化メチレンの添加、濾過及び真空中での溶剤の除去の後に４．６ｇ（９３％）の高粘度の生成物が生じる。【００７５】分析（Ｃ４４Ｈ５７Ｏ８Ｐに関する計算値＝７４４．９ｇ／モル）Ｃ７０．３５（７０．９５）；Ｈ７．８６（７．７１）。３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）δ１４０．７ｐｐｍ。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）δ１．４３（ｓ，９Ｈ）；１．５６（ｓ，９Ｈ）；１．６３（ｓ，９Ｈ）；１．６７（ｓ，９Ｈ）；４．０１（ｓ，３Ｈ）；４．０３（ｓ，６Ｈ）；４．０５（ｓ，３Ｈ）；５．４２（ｓ，１Ｈ）；６．７...７．３（ｍ，８Ｈ）ｐｐｍ。ＦＡＢ ＭＳ：ｍ／ｅ７４５（３７％，Ｍ＋）；３８７（１００％，Ｍ＋−２，２′−ビス（６−ｔ−ブチル−１−ヒドロキシ−４−メトキシフェニル）。ＩＲ（ＣＨＣｌ３，０．１ｍｍ ＣａＦ２）、ν（ＯＨ）＝３５４９ｃｍ-１。【００７６】例３１−ｃによるホスフィニンの合成３２ｍｌのＴＨＦ中の例２からの３．０６ｇの前駆体（４．１１ミリモル）に、１３ｍｌのヘキサン中に溶解させた１当量のｎ−ブチルリチウムを撹拌下に−２０℃で滴加する。室温に加温し、３０分間撹拌した後に、得られた溶液を、７ｍｌのＴＨＦに溶解された０．９６１ｇの１０−クロロ−９，１０−ジヒドロ−９−アザ−１０−ホスファ−フェナントレン（例４からの前駆体Ｃ−２）（４．１１ミリモル）に添加し、該混合物を室温で４時間撹拌する。真空中で溶剤混合物を除去した後に得られる残留物を８０ｍｌのヘキサン中で擦る。母液からの５回の蒸留によってガラス質残留物（Frittenrueckstand）を濾過及び抽出する。出発容量の５０％までの溶液の濃縮及び２８℃での３日間の貯蔵によって粗生成物が得られ、これを熱したヘキサンからもう一度再結晶させる。収率：１．９ｇ＝４８％。【００７７】分析（Ｃ５６Ｈ６５Ｏ８Ｐ２Ｎに対する計算値＝９４２．０７ｇ／モル）：Ｃ７１．５０（７１．４０）；Ｈ７．２５（６．９５）；Ｎ１．５６（１．４７）％。３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ８２．５５；８７．１；１３９．０；１４２．７。ジアステレオマー比＝３．３：１。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ０．９１..１．４４（３６Ｈ）；３．７４..３．８５（１２Ｈ）、４．８８..５．０８（１Ｈ）；６．５１..８．１（１６Ｈ）。ＦＡＢ−ＭＳ：ｍ／ｅ９４２（７％，Ｍ＋）；７４６（２６％）；５３９（２１％）；３８８（３７％）；１９９（１００％）。【００７８】例４１０−クロロ−９，１０−ジヒドロ−９−アザ−１０−ホスファフェナントレンの製造【００７９】【化２７】【００８０】該化合物はＭ．Ｊ．Ｓ．Ｄｅｗａｒ，Ｖ．Ｐ．Ｋｕｂｂａ，Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９６０，８２，５６８５−５６８８（２０頁、１９行目）に従って製造し、以下に“Ｃ−２”と呼称する。【００８１】例５１−ｅによるホスフィンの合成２０ｍｌのＴＨＦ中の例２からの１．８５ｇの前駆体Ｂ（２．４９ミリモル）に、８ｍｌのヘキサン中に溶解された１当量のｎ−ブチルリチウムを撹拌下に−２０℃で滴加する。室温に加温し、３０分間撹拌した後に、得られた溶液を、５ｍｌのＴＨＦ中に溶解された０．６１６ｇの１０−クロロ−９−メチル−９，１０−ジヒドロ−９−アザ−１０−ホスファフェナントレン（例１からの前駆体Ｃ−１）（２．４９ミリモル）に添加し、該混合物を室温で撹拌する。真空中で溶剤混合物を除去した後に得られる残留物を４０ｍｌのヘキサン中で擦る。母液から５回再蒸留することによってガラス質残留物を濾過及び抽出する。室温で複数日間の静置によって白色の沈殿物が得られ、これを濾過し、１０ｍｌのヘキサンで洗浄し、かつ７０℃の浴温度で真空中に乾燥させる。収率：１．９９ｇ＝８４％。分析（Ｃ５７Ｈ６７Ｏ８Ｐ２Ｎに関する計算値＝９５６ｇ／モル）：Ｃ７２．０２（７１．６１）；Ｈ７．６９（７．０６）；Ｐ６．４８（５．９９）；Ｎ１．３９（１．４６）。３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ１０１．２、１０２．２；１４１．７；１４４．７。ジアステレオマー比＝７．５：１。１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ０．９..１．４５（３６Ｈ）；３．１８..３．４３（３Ｈ）；３．７４..３．９４（１２Ｈ）、６．１４..８．１５（１６Ｈ）。ＣＩ−ＭＳ：ｍ／ｅ９５６（１０％，Ｍ＋）；７４５（１００％）。【００８２】例６及び例７１−オクテンのヒドロホルミル化実験の実施は、充填の後に保護ガス下にガス処理撹拌機、圧力ピペット（Druckpipette）及び後圧調節器（Nachdruckregler）を備えた２００ｍｌの特殊鋼製オートクレーブ（Ｂｕｄｄｅｂｅｒｇ社、マンハイム）中で油浴恒温器中で行った。水分及び酸素の影響を最小限にするために、溶剤として使用されるトルエンをナトリウム−ケチルで乾燥させ、かつアルゴン下に蒸留した。基質として使用される１−オクテンをナトリウム上で複数時間還流加熱し、かつアルゴン下に蒸留した。【００８３】オートクレーブに、５．４５６ｍｇ＝０．０１７６ミリモルの［ａｃａｃＲｈ（ＣＯＤ）］及び０．０８８ミリモルのそれぞれの配位子を溶解させた２７ｍｌのトルエンを入れた。Ｒｈ／Ｐの比は、１：１０であった。反応器を介して圧力ピペット中に２４ｍｌ＝約１６．８ｇ（１４９．３ミリモル）の１−オクテンを添加した。Ｒｈ／１−オクテンの比は約１：８５００であった。反応器及び圧力ピペットを圧力調節域（Druckregelstrecke）に並行に接続されたバイパスを介して５０バールの目標圧の場合は３３バールのＣＯ／Ｈ２（１：１、合成ガス）で、２０バールの低圧の場合は１３バールのＣＯ／Ｈ２（１：１、合成ガス）で送り込み、かつ反応器の内容物をガス処理撹拌機を有する磁気撹拌機において１５００分-１で１００℃に調温した。目標温に達した後に、圧力を４７バール（１７バール）に高め、圧力ピペットからのオレフィン混合物を５５バール（２５バール）の圧力で反応器中に圧送した。４９．６バール（１９．２バール）の反応の出発圧に調節した。５０バール（２０バール）への即座の手動での調節の後に、バイパスを閉鎖し、全反応時間にわたり圧力を後圧力調節器で一定に保持した。実験は規定の反応時間の経過後に強制冷却して終了させた。反応溶液を保護ガス下に除去し、ガスクロマトグラフィーによって分析した。【００８４】以下の表は個々の配位子によって得られる結果を含んでいる。【００８５】【表１】【００８６】例８及び例９１−オクテン、２−オクテン、３−オクテン及び４−オクテンの混合物のヒドロホルミル化実験の実施は、充填の後に保護ガス下にガス処理撹拌機、圧力ピペット及び後圧調節器を備えた２００ｍｌの特殊鋼製オートクレーブ（Ｂｕｄｄｅｂｅｒｇ社、マンハイム）中で油浴恒温器中で行った。水分及び酸素の影響を最小限にするために、溶剤として使用されるトルエンをナトリウム−ケチルで乾燥させ、かつアルゴン下に蒸留した。基質として使用されるオクテン異性体混合物をナトリウム上で複数時間還流加熱し、かつアルゴン下に蒸留した。組成：１−オクテン、３．３％；シス＋トランス−２−オクテン、４８．５％；シス＋トランス−３−オクテン、２９．２％；シス＋トランス−オクテン−４，１６．４％；分枝鎖状のＣ８−オレフィン、２．６％。【００８７】オートクレーブに、１８．７５ｍｇ＝０．０６０４ミリモルの［ａｃａｃＲｈ（ＣＯＤ）］、それぞれの二座配位子及び以下に記載するコリガンドＣＬ１を溶解させた４１ｍｌのトルエンを入れた。Ｒｈ／二座配位子（配位子）／エーテルホスホナイト（コリガンド（Coligand)）の比は表に挙げる。反応器を介して圧力ピペット中に１５ｍｌ＝約１０．６２ｇ（９４．６３ミリモル）のオクテンを添加した。Ｒｈ／オクテンの比は約１：１５７０であった。反応器及び圧力ピペットを圧力調節域に並行に接続されたバイパスを介して１３バールのＣＯ／Ｈ２（１：１、合成ガス）で送り込み、かつ反応器の内容物をガス処理撹拌機を有する磁器撹拌機において１５００分-１で１３０℃に調温した。目標温に達した後に、圧力を１７バールに高め、圧力ピペットからのオレフィン混合物を２５バールの圧力で反応器中に圧送した。１９．２バールの反応の出発圧に調節した。２０バールへの即座の手動での調節の後に、バイパスを閉鎖し、全反応時間にわたり圧力を後圧力調節器で一定に保持した。実験は３時間後に強制冷却して終了させた。反応溶液を保護ガス下に除去し、ガスクロマトグラフィーによって分析した。【００８８】以下の表は個々の配位子によって得られる結果を含んでいる。【００８９】【表２】 式１−ａ〜１−ｌ：のホスフィニン。 ロジウム並びに式１−ａ〜１−ｌ：の１種以上のホスフィニンを含有するホスフィニン金属錯体。 請求項２記載のホスフィニン金属錯体の、オレフィンのヒドロホルミル化のための触媒としての使用。 請求項２記載のホスフィニン金属錯体の、他のリン含有配位子の存在下でのオレフィンのヒドロホルミル化のための触媒としての使用。